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Si5853DDC
Vishay Siliconix
MOSFET TYPICAL CHARACTERISTICS 25 °C, unless otherwise noted
100
10
1
T J = 150 °C
T J = 25 °C
0.4
0.3
0.2
0.1
0.0
I D = 2.9 A
T J = 125 °C
T J = 25 °C
0.0
0.2
0.4
0.6
0. 8
1.0
1.2
0
1
2
3
4
5
0.9
V SD - So u rce-to-Drain V oltage ( V )
Source-Drain Diode Forward Voltage
16
V GS - Gate-to-So u rce V oltage ( V )
On-Resistance vs. Gate-to-Source Voltage
0. 8
12
0.7
I D = 250 μ A
0.6
8
0.5
4
0.4
0.3
0
- 50
- 25
0
25
50
75
100
125
150
0.001
0.01
0.1
1
10
100
1000
T J - Temperat u re (°C)
Threshold Voltage
Time (s)
Single Pulse Power, Junction-to-Ambient
100
Limited by R DS(on) *
10
100 μ s
1
1 ms
10 ms
100 ms
0.1
T A = 25 °C
Single P u lse
10 s, 1 s
DC
BVDSS Limited
0.01
Document Number: 68979
S10-0548-Rev. B, 08-Mar-10
0.1
1 10 100
V DS - Drain-to-So u rce V oltage ( V )
* V GS > minim u m V GS at w hich R DS(on) is specified
Safe Operating Area, Junction-to-Ambient
www.vishay.com
5
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